Twoje najbardziej wymagające wyzwania związane z pamięcią

Intel OPTANE SSD DC P4800X

Twoje najbardziej wymagające wyzwania związane z pamięcią masową

Świat tworzy ogromne ilości danych. Do tej pory technologie pamięci masowej nie były w stanie za nimi nadążyć. Intel® Optane™ SSD DC P4800X łączy w sobie to, co najlepsze  aby stworzyć bezprecedensowe rozwiązanie. I chociaż Intel Optane SSD P4800X wygląda jak każdy inny SSD, jest wspierany przez technologię Intel® Optane™. Ta unikalna architektura zapewnia szybszą i bardziej spójną przewagę nad odpowiednikami opartymi na NAND.

 

WYSOKA PRZEPUSTOWOŚĆ. MAŁE OPÓŹNIENIA.

Model SSD DC P4800X został zaprojektowany z  przeznaczeniem do osiągania najwyższej wydajności operacji wejścia/wyjścia1  wygenerowanego przez aplikację, dzięki czemu uzyskano 5-8 krotne zwiększenie wydajności.

DO

6x

WIĘKSZA WYDAJNOŚĆ PRZY NISKICH OBCIĄŻENIACH GŁĘBOKOŚCI KOLEJKI1

PRZEWIDYWALNIE SZYBKA OBSŁUGA DLA NIEPRZEWIDYWALNYCH WYMAGAŃ

Aby sprostać dzisiejszym stale rosnącym wymaganiom w zakresie pamięci masowej i danych, niezawodna szybka obsługa jest koniecznością dla centrów danych.

SSD DC P4800X ma 99% czasu reakcji odczytu, który jest 60-krotnie szybszy niż czas reakcji SSD NAND o wysokiej wytrzymałości przy losowym obciążeniu zapisu, co czyni go idealnym rozwiązaniem do krytycznych zastosowań z wymaganiami dotyczącymi opóźnień. 2

DO

60X

ODPOWIEDŹ ODCZYTU 2 w porównaniu z SSD NAND

 

WIĘKSZA WYTRZYMAŁOŚĆ. DŁUŻSZA ŻYWOTNOŚĆ.

Przetwarzanie transakcji online, obliczanie o wysokiej wydajności, buforowanie zapisów i rejestrowanie — wszystkie te aplikacje intensywnie zapisujące mogą uwzględniać średnią długość życia dysku SSD NAND. Dysk SSD DC P4800X ma bardzo dużą wytrzymałość, co zapewnia dłuższą żywotność i obniża koszty. Połączenie niskich, spójnych opóźnień i wysokiej wytrzymałości pozwala Intel® Optane™ DC SSD działać znacznie wydajniej jako urządzenia buforujące niż rozwiązania oparte na NAND. 2

FEATURES AND BENEFITS

Capacity 375 GB, 750 GB, 1.5 TB
Form Factor Add-in-Card (AIC), half-height, half-length, low-profile; U.2 2.5-inch
Interface PCIe 3.0 x4, NVMe
Latency (typical) Read/Write <10/12µs
Quality of Service (QOS): 99/99%

4 KB3 random, queue depth 1, read/write: <60/100 µs

4 KB random, queue depth 16 read/write: <150/200 µs

Throughput4

4 KB random, queue depth 16, read/write: up to 550/550k IOPSi

4 KB random, queue depth 16, mixed 70/30 read/write: up to 500k IOPS

Endurance

30 drive writes per day (JESD219 workload)

375 GB – 20.5 petabytes written (PBW)

750 GB – 41 petabytes written (PBW)

60 drive writes per day

1.5 TB – 164 petabytes written (PBW)

1. Źródło – Testowane przez Intela: wydajność 4K 70/30 RW przy niskiej głębokości kolejki. Mierzona za pomocą FIO 3.1. Wspólna konfiguracja – Intel 2U Server System, OS: CentOS 7.5, Kernel 4.17.6-1.el7.x86_64, CPU 2 x Intel® Xeon® 6154 Gold @ 3.0GHz (18 rdzeni), RAM 256GB DDR4 @ 2666MHz. Konfiguracja – Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB w porównaniu do Intel® SSD DC P4600 1.6TB. Mikrokod Intela: 0x2000043; System BIOS: 00.01.0013; Me Firmware: 04.00.04.294; Oprogramowanie układowe BMC: 1.43.91f76955; FRUSDR: 1,43. Wyniki wydajności są oparte na testach od 30 listopada 2018 r. i mogą nie odzwierciedlać wszystkich publicznie dostępnych aktualizacji zabezpieczeń. Szczegółowe informacje można znaleźć w informacji o konfiguracji. Żaden produkt nie może być całkowicie bezpieczny.

2. Wspólna konfiguracja – Intel® System serwerowy 2U, OS CentOS* 7.2, jądro 3.10.0-327.el7.x86_64, CPU 2 x Intel® Xeon® E5-2699 v4 @ 2.20GHz (22 rdzenie), RAM 396GB DDR @ 2133MHz. Konfiguracja – Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB i Intel® SSD DC P3700 1600 GB. QoS – mierzy 99% QoS w ramach obciążenia 4K 70-30 w QD1 przy użyciu FIO 2.15.

3. 4 KB = 4096 bajtów.

4 Performance measured using FIO* rev 2.13, with 4 workers with total queue depth of 16 

*Inne nazwy i marki mogą być zgłaszane jako własność innych osób.

ABY WDROŻYĆ TECHNOLOGIĘ  ™ FIRMY INTEL® OPTANE W CENTRUM DANYCH

Jako pierwszy duży przełom pamięci  od ponad 25 lat, technologia Intel® Optane™ łączy wiodące w branży opóźnienia, wysoką wytrzymałość, QoS i wysoką przepustowość, która pozwala na tworzenie rozwiązań do usuwania wąskich gardeł danych i uwalniania wykorzystania procesora. Dzięki technologii Intel Optane centra danych mogą wdrażać większe i bardziej przystępne cenowo zestawy danych, aby uzyskać nowe informacje z dużych pul pamięci.

Oto 10 sposobów, w których technologia Intel Optane może mieć znaczenie dla Twojej firmy.

1. SZYBSZY DOSTĘP DO DANYCH W CELU UZYSKANIA SZCZEGÓŁOWYCH INFORMACJI

Organizacje domagają się szybszych, wydajniejszych i tańszych sposobów konsumowania, przetwarzania i wyodrębniania przydatnych informacji z gór danych, z którymi mają do czynienia każdego dnia. A ilość danych tam nie tylko rośnie, ale stale się rozwija. Technologia Intel Optane zapewnia dostęp do znacznie większej ilości danych bliżej procesora. Oznacza to szybsze przetwarzanie analiz w czasie rzeczywistym, transakcji finansowych, elektronicznej dokumentacji medycznej, wykrywania oszustw i innych przypadków użycia, które wymagają przewidywalnie szybkiego czasu odczytu i odpowiedzi — gdy uśredniany czas reakcji nie jest wystarczająco dobry.

2. ZWIĘKSZENIE ZYSKÓW

Intel® Optane™ DC SSD ma więcej pracy z tymi samymi serwerami w porównaniu do alternatywnych rozwiązań. Oszczędności można wykorzystać do obniżenia kosztów lub rozszerzenia możliwości i usług.

 

  • Większa, bardziej przystępna cenowo pamięć
  • Zoptymalizowane pod kątem kosztów pod kątem konsolidacji pamięci masowej
  • Większa skala na serwer
  • Szybszy wgląd i większe pule pamięci
  • Wysoka wytrzymałość

– Poprawa ogólnego systemu dzięki zrównoważonym kosztom, pojemności i wydajności

3. INNOWACJE DZIĘKI ELASTYCZNEJ ARCHITEKTURZE

Firma Intel oferuje szeroką gamę produktów, aby zapewnić architektom centrów danych elastyczność projektowania i wyjątkową wydajność.

 

Procesory Intel drugiej generacji ® Xeon® Skalowalne optymalizują wzajemne połączenia, koncentrując się na szybkości bez uszczerbku dla bezpieczeństwa danych.

Intel® Optane™ pamięć trwała DC znajduje się bezpośrednio na magistrali pamięci i reprezentuje nową klasę pamięci i technologii pamięci masowej zaprojektowanej w celu wyodrębnienia dalszej wartości z danych. Może być używany z procesorem Intel Optane SSD DC P4800X jako warstwą pamięci masowej z szybką pamięcią podręczną.

Dyski INTEL® Optane™ DC SSD umożliwiają architektom optymalizację, przechowywanie i przyspieszanie dużych złożonych zestawów danych. Wyjątkowe połączenie małych opóźnień, wysokiej wytrzymałości i stałej reakcji jest idealne do szybkiego buforowania lub szybkiego przechowywania. Szybkość i trwałość tradycyjnych dysków SSD w pobliżu pamięci DRAM pomaga rozwiązać najbardziej wymagające wyzwania związane z pamięcią masową i pamięcią masową, nawet w najbardziej dynamicznych środowiskach.

Dyski SSD Intel® QLC 3D NAND zmniejszają różnicę w kosztach między dyskami SSD a tradycyjnymi wirującymi dyskami twardymi, dzięki czemu pamięć masowa flash jest przystępną opcją.

4. WYPEŁNIJ LUKĘ W PAMIĘCI 

Dzisiejsze technologie pamięci masowej pozostawiają lukę technologiczną w warstwach przechowywania danych. Pamięć jest świetna z punktu widzenia wydajności, ponieważ jest blisko procesora na magistrali pamięci, ale jest kosztowna, a możliwość skalowania pojemności dla większych zestawów roboczych jest ograniczona. NAND przynosi pojemność i jest niedrogi w stosunku do pamięci DRAM, ale nie jest na magistrali pamięci i dlatego nie zbliża się do wydajności pamięci. Powoduje to luki w architekturze centrum danych podczas próby zrównoważenia wydajności, wydajności i kosztów.

 

Technologia Intel Optane i dyski SSD Intel QLC 3D NAND umożliwiają architektom systemów przełamanie wąskich gardeł w warstwie buforowania danych roboczych, jednocześnie zwiększając ekonomicznie pojemność pamięci masowej danych. W tandemie te unikalne technologie wypełniają luki między zlokalizowanych danych gorących (w pobliżu procesora CPU) i danych o większej pojemności.

5. PRZYSPIESZENIE REAKCJI I WYDAJNOŚCI

Intel® Optane™ SSD DC P4800X vs.3D SSD NAND

PRZEŁOMOWA WYDAJNOŚĆ

Wysoka przepływność (szybkie przenoszenie danych)

Odczytuje i zapisuje na poziomie bitowym (nie strony i bloki, takie jak NAND). Oznacza to, że nie wyrzucania elementów bezużytecznych dla krótszy czas zapisu. Wydajność nie ulega rozkładowi pod wpływem stresu.

PRZEWIDYWALNIE SZYBKA OBSŁUGA

Wysoki poziom QoS (szybka wydajność w przypadku testów porównawczych obciążenia mieszanego)

W środowisku szybko rosnących danych i wymagających wymagań centra danych muszą wdrażać rozwiązania umożliwiające przewidywalną szybką obsługę.

RESPONSYWNY POD OBCIĄŻENIEM

Małe opóźnienia, szybki czas

reakcji Dzięki ssd opartych na nanand operacje losowego zapisu mogą zwiększyć opóźnienie operacji odczytu. Technologia Intel Optane utrzymuje spójne czasy reakcji niezależnie od przepływności zapisu. Możesz stale świadczyć szybką obsługę przy każdym obciążeniu, nawet przy niskiej głębokości kolejki, gdzie większość aplikacji generuje obciążenia magazynu.

6. DANE W PAMIĘCI PODRĘCZNEJ

Szybkie przechowywanie lub pamięć podręczna odnosi się do warstwowania i warstw, które umożliwiają lepszą hierarchię pamięci do magazynu. Połączenie technologii Intel Optane o niskim i przewidywalnym opóźnieniu i wysokiej wytrzymałości pozwala jej działać znacznie wydajniej jako urządzenie do buforowania w porównaniu z rozwiązaniami opartymi na NAND.

System zbudowany na procesorach Intel Xeon Scalable, wykorzystujący dyski Intel Optane SSD DC P4800X do warstwy buforowania, zapewniał do 3 razy lepszego poziomu ceny/wydajności niż systemy poprzedniej generacji i nośniki pamięci masowej. 4

7. ROZWIŃ PAMIĘĆ

Pamięć trwała intel optane DC to innowacyjna nowa warstwa w hierarchii pamięci, która ma zastosowanie do obciążeń w chmurze, przetwarzaniu w pamięci i pamięci masowej. To nowe zastosowanie technologii Intel Optane w obudowie DIMM umożliwia przybliżenie dużych ilości danych do procesora , zapewniając szybki dostęp, przetwarzanie i analizę w czasie rzeczywistym — porównywalne z pamięcią DRAM przy małych opóźnieniach. Moduł DIMM oferuje również większą pojemność i trwałość danych, dzięki czemu dane pozostają w pamięci nawet wtedy, gdy występują cykle zasilania. Elastyczność pamięci trwałej Intel Optane DC umożliwia architektom i projektantom systemów przyspieszenie trendów w branży baz danych w pamięci i obsługę większej liczby maszyn wirtualnych i większej pamięci dla każdego z nich.

8. OBSŁUGA ZAKRESU OBCIĄŻEŃ MAGAZYNOWANIA

Dzięki procesorowi Intel Optane DC SSD każdy serwer może zrobić więcej w różnych aplikacjach. Ten ssd centrum danych jest idealny do pracy danych i danych w czasie rzeczywistym przechowywanych w dużych ilościach; wysoce losowe aplikacje związane z przechowywaniem; i losowe obciążenia w niskich głębokościach kolejki, czyli gdzie większość działań występuje w rzeczywistych scenariuszach.

9. W PEŁNI POŁĄCZONA PLATFORMA

Dane definiują przyszłość, a wyjątkowa pozycja firmy Intel jako lidera technologicznego i szeroki zakres możliwości może pomóc klientom w dostarczeniu czegoś nowego lub na nowo wyobrazić sobie to, co robią, tylko lepiej. Wymaga to innowacji pamięci i platformy. Zintegrowana architektura intela optymalizuje zintegrowany procesor Intel Xeon Scalable, technologię Intel Optane i technologię Intel 3D NAND, tworząc wydajne centrum danych, które może szybciej przenosić dane, przechowywać ich więcej i przetwarzać wszystko, od chmury po krawędź. Funkcje połączone z platformą łączą pule danych obliczeniowych i pamięci masowej, aby efektywnie zarządzać pamięcią masową na dużą skalę, przyspieszać aplikacje i upraszczać systemy.

10. POZNAJ RÓŻNICĘ INTEL

Dzięki ponad 50-letniemu doświadczeniu Firma Intel przeprojektowuje strukturę projektowania nowych systemów, przekształcając pamięć masową bezpośrednio w DNA nowych projektów systemów. Połączenie pamięci trwałej Intel Optane DC ze zoptymalizowanymi pod kątem wydajności dyskami SSD Intel Optane i zoptymalizowanymi pod kątem kosztów dyskami SSD Intel® 3D NAND z technologią QLC na nowo definiuje hierarchię pamięci masowej i definiuje przyszłość pamięci masowej — przyszłość napędzaną przez firmę Intel.